所謂壓阻效應，是指當半導體受到應力作用時，由于應力引起能帶的變化，能谷的能量移動，使其電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象。它是C.S***在1954年對硅和鍺的電阻率與應力變化特性測試中發(fā)現(xiàn)的壓電效應：某些電介質(zhì)在沿一定方向上受到外力的作用而變形時，其內(nèi)部會產(chǎn)生極化現(xiàn)象，同時在它的兩個相對表面上出現(xiàn)正負相反的電荷。當外力去掉后，它又會恢復到不帶電的狀態(tài)，這種現(xiàn)象稱為正壓電效應。

當作用力的方向改變時，電荷的極性也隨之改變。相反，當在電介質(zhì)的極化方向上施加電場，這些電介質(zhì)也會發(fā)生變形，電場去掉后，電介質(zhì)的變形隨之消失，這種現(xiàn)象稱為逆壓電效應。