本資料目錄：
1.配管需要關注的問題
2.配管調(diào)整項目說明
3.配管實際操作流程

選配顯像管需要關注的問題
定義：對一個經(jīng)確認的機芯作派生機需要選配其它CRT時，對機芯作適當?shù)恼{(diào)整，使之能與其它CRT相配合，以達到各項質(zhì)量指標要求，這項工作稱為“配管”。
配管需要關注的問題：
1.新選配CRT的偏轉特征及光柵的幾何失真
①CRT屏幕半徑（普平、超平、全平等）
②管頸直徑（細頸：22.5mm 粗頸：29.1mm)
③單/雙聚焦
④行偏轉線圈(DY)的電感量
⑤場偏轉線圈(DY)電阻及電感量
⑥消磁功率大小及特性
⑦東西枕校失真率，枕校電路的動態(tài)范圍
⑧南北枕校失真率，枕校電路的動態(tài)范圍
⑨圖象重顯率
⑩行/場非線性失真率、行場中心偏差、S失真率等

2. 檢查調(diào)整CRT的供電及其他電壓
①電源電壓B+
②EHT電壓
③燈絲電壓
④聚焦電壓（含動態(tài)聚焦/單雙聚焦）
⑤加速極（G2 ）電壓
⑥行逆程時間、行管反峰電壓及高壓包次級各整流電壓
⑦場供電電壓、反峰電壓
⑧束流(小屏幕)
3.EHT補償
4.檢查關機消亮效果
①交流開關機
②遙控開關機
③快速交流開關機
④快速遙控開關機
5.檢查微音效應、摩爾效應
6. 檢查CRT打火保護
7.檢查機殼與CRT的配合
8.整機跌落試驗與震動試驗

典型電路


一.EHT電壓值規(guī)格/推薦:
1.小屏：24～26KV
2.大屏：26～29KV配管說明:
1.必須在CRT規(guī)格范圍內(nèi)
2.選用較高的EHT可使亮度提高，聚焦和圖像清晰度得到改善。
3.增高EHT,會使行輸出級及電源功耗增大。
4.EHT越高，圖像寬度隨束電流變化的幅度越大。
5.EHT過高，對FBT、CRT等器件的可靠性不利。

二.燈絲電壓規(guī)格/推薦:
1.一般：6.3VRMS+/-5%2.特殊：6.0V/6.15VRMS+/-5%配管說明:1.如過高會使燈絲升華現(xiàn)象加劇，過低又會使陰極中毒，都會嚴重影響CRT壽命。2.測量燈絲電壓必須采用真有效值電表（FLUKE)3.因配管需調(diào)整逆程時間及B+電壓,這可能對燈絲電壓有所影響，因此需要在配管完成后對燈絲電壓做檢查。

三. 燈絲電流規(guī)格/推薦:
1.一般300～680mA配管說明:1.CRT燈絲端子所加電壓正確,其電流就自然正確2.如所配CRT管燈絲電流不同，燈絲電路的降壓電阻阻值就需要改動，以保證燈絲電壓為6.3+/-5%V

四.聚焦電壓規(guī)格/推薦:
1.一般：25%-35%EHT 配管說明:1.由于高壓包聚焦電壓的輸出內(nèi)阻極高，測量聚焦電壓時，除靜電計外，其他儀表（包括高壓棒），均對聚焦電壓的測量結果有所影響。2.高壓包的聚焦電壓調(diào)整范圍必須滿足CRT的規(guī)格及余量要求。

五.管頸直徑規(guī)格/推薦:
1.細頸φ21mm2.粗頸φ29.1mm配管說明:1.細頸偏轉靈敏度高，但聚焦性能及磁屏蔽差。2.粗頸偏轉靈敏度低，但聚焦性能好。3.現(xiàn)時只有14“及21”小屏幕有少量細管頸CRT供應，大屏幕細管徑CRT極少生產(chǎn)。

六.偏轉角規(guī)格/推薦:
1.小屏：90°2.大屏：104°-110°配管說明:1.偏轉角越大則：①管頸越短②枕形失真，S形失真越大③對屏幕4角及邊緣的聚焦、色純、會聚、亮度均勻性及莫爾效應都不利。2. 偏角越大，所需：①偏轉功率越大②枕校功率越大③S修正電容容量越少

七.行DY電感量規(guī)格/推薦:
1. 21″: 1.8～2.7mH2. 25"～34" : 1＋/-0.1mH配管說明:1. DY電感越大，則:①行輸出級B+電壓必須越高②S修正電容容量越?、坌芯€性校正線圈電感量越大④逆程電容容量越少（以保持逆程時間不變）

八.行輸出級B+電壓規(guī)格/推薦:
1.小屏：108+/-2V2.大屏：130+/-2V配管說明:1.由于枕校電路損失了一部份分電壓，因此大屏幕彩電需要較高之B+電壓。2.行輸出B+電壓越高，則:①行寬越大(雖然可通過枕校把行寬調(diào)小，但會增大枕校電路及電源的功耗，所以并不推薦）②行管反峰壓越高③高壓包各輸出電壓,如EHT、燈絲電壓等也會有所升高.

九.逆程時間規(guī)格/推薦:
1.小屏: 11.0-11.5us2.大屏: 11.4～11.8us配管說明:1. 由于大屏彩電B+電壓比小屏高，為了使行管集電極電壓不致太高（≦1100V）一般把逆程時間選得較長2. 逆程時間越短，則：①EHT電壓越高②行管集電極反峰壓越高3.逆程時間過長，則：①容易出現(xiàn)左右卷邊及露邊現(xiàn)象②行中心調(diào)整范圍會減小

十.東西枕校電路（只適合大屏）配管說明:
1.小屏：一般采用帶東西南北自枕校的偏轉線圈，無需任何枕校電路2.大屏：一般采用只帶南北自枕校的偏轉線圈，東西枕校必須外電路完成。3.CRT偏轉角越大、屏幕越平，所需枕校電壓越大。4.要使枕校電壓增大，則：①枕校電容必須減小（見圖1)，相應的枕校電感必須增大（以保持逆程時間不變）。②行輸出B+電壓必須越高（以彌補枕校電路的電壓損失)

十一. 寬度調(diào)整（只適合小屏）配管說明:
1.寬度線圈可作寬度調(diào)整用,但：①這會增加成本②如寬度線圈鐵芯飽和，則會增大S失真③如焊接不良有可能引起電路板著火。2.可配合下列調(diào)整以得到合適的光柵寬度:?、貰+電壓越高，寬度越大②如只需做些微調(diào)整，可改變下述參數(shù):·S電容越少，寬度越大·逆程電容越大，寬度越大(由于EHT變低）

3.配管實際操作流程圖：
一.粗調(diào)顯像管加速機（G）2、聚焦電壓調(diào)整步序:1.屬基本操作操作說明:當前值CRT的所有電壓標稱值范圍A,都必須在高壓包對應各電壓的調(diào)整范圍B內(nèi)。錯誤當前值正確

這種未考慮CRT性能分散性，單以樣機能達到要求就認為調(diào)整已完成的作法，由于CRT的分散性而可能導致部分產(chǎn)品的某些性能指標，在大量生產(chǎn)過程中無法全部都能調(diào)整到設計要求的理想效果。333AB正確正確AB錯誤錯誤

二.粗調(diào)場偏轉輸出電路調(diào)整步序:
1.屬基本操作操作說明:1.場偏轉線圈電阻及電感越大,所需場供電電壓越高. 2.必須檢查50Hz、60Hz場頻及無信號時的工作狀態(tài)。

三.檢查枕校調(diào)校范圍調(diào)整步序:1.進入工廠調(diào)校模式/枕校調(diào)整項；2.將枕校增益調(diào)整至最大及最小時，應相應出現(xiàn)≥5%的桶形失真及枕形失真。這表示枕校增益已足夠。操作說明:1.屏幕越平（玻屏曲率半徑越大）、偏轉角越大，所需增益調(diào)整范圍就越大。

四.檢查調(diào)整枕校電路的動態(tài)范圍調(diào)整步序:
1.圖像寬度及B+電壓檢查(1)將寬度調(diào)大0.5格時,圖像不應出現(xiàn)下圖(1)(2)所示之內(nèi)彎現(xiàn)象.如果出現(xiàn)內(nèi)彎,則表示B+電壓太低。(2)將寬度調(diào)大1.2格時,圖像應該出現(xiàn)下圖(1)(2)所示之內(nèi)彎；若不出現(xiàn),則表示B+電壓太高。(3)若圖像不能調(diào)大1.2格,說明枕校電路的寬度調(diào)整范圍不夠,應重新調(diào)整枕校電路的增益。


2.枕校動態(tài)范圍檢查(1)將圖像寬度慢慢調(diào)小0.5格,不應出現(xiàn)下圖(3)(4)所示之外彎現(xiàn)象,如出現(xiàn),則表示枕校電路的動態(tài)范圍不夠,可減少枕校逆程電容(同時相應增大枕校電路逆程電感,以保持逆程時間不變).（2）B+電壓過高、或枕校范圍過大，將導致枕校輸出管、行管、電源等負載加重，功耗和溫漂加大，可靠性下降。因此應盡量避免。


五.檢查/調(diào)校行輸出和枕校逆程時間及其一致調(diào)整步序:
1.用雙跡示波器同時觀察行輸出逆程脈沖（A)及枕校逆程脈沖(B)波形。2.比較二者的逆程時間是否一致,如圖所示。3.如不一致,可通過改變枕校電容或電感使其一致。4.Tr必須在推薦值范圍內(nèi)。小屏：11～11.5us 大屏：11.4～11.8us

五.檢查/調(diào)校行輸出和枕校逆程時間及其一致操作說明:
1.行逆程時間越短,則:①EHT越高. ②行管集極反峰壓越高.2.行逆程時間過長,則:①容易出現(xiàn)圖像左右卷邊及露邊現(xiàn)象.②行中心調(diào)整范圍減小.
六.檢查調(diào)整行線性及S失真調(diào)整步序:
1.屬基本操作,要求達到企業(yè)標準操作說明:1.場偏轉線圈電阻及電感越大,所需場供電電壓越高.2.必須檢查50Hz、60Hz場頻及無信號時的工作狀態(tài)。
1.非線性失真行偏轉線圈的電阻越大,行掃描的非線性失真越大;2.S失真屏幕越平,偏轉角越大,S失真越嚴重

七.檢查/調(diào)整最大束電流及全屏最大亮度調(diào)整步序:1.屬基本操作,要求達到企業(yè)標準操作說明:1.屏幕越大，透光率越低，所需束電流越大.最大束電流：21"--1.2mA25"～29"--1.4～1.6mA

八.EHT補償（參考本講座“EHT寬度調(diào)整”）調(diào)整步序:[Page]
1.接收帶白色垂直線的橫條階梯波測試信號；2.將“對比度”調(diào)至最??；3.調(diào)低“亮度”使屏幕兩邊白色垂直線剛剛可見；4.用“橡頭筆”在玻屏上記錄白色垂直線的位置；5.調(diào)亮度至50%,調(diào)對比度至100%6.調(diào)整“EHT補償”的增益（IC或外圍電路。如:[H EHT gain]),使圖像下半部(右圖C)的垂線與玻屏上的記錄完全重合；；

7.調(diào)整“EHT補償”曲線跟蹤（參講座稿《EHT寬度補償》），使圖像上半部（右圖B）的垂直白線與玻屏記錄完全重合；8.若圖像頂部有彎曲(右圖A處）,可調(diào)整“EHT補償”之取樣電路的時間常數(shù)（由于此電容也是EHT整流的交流回路，其數(shù)值不能小于47nF),使垂線全部與玻屏上的記錄線完全重合。（但如果取樣電路內(nèi)部有一定的時延（指高壓包分布參數(shù)），A點彎曲不可能完全消除）。

九.檢查場偏轉電路各調(diào)整項的余量調(diào)整步序:
通過工廠調(diào)整，檢查以下功能是否能實現(xiàn)：1.能把“場幅”調(diào)至最大及最小。2.能把“場中心”調(diào)到最大及最小。3.“場線性”可調(diào)到最大及最小。4.“S形失真調(diào)整”可調(diào)到最大及最小操作說明:1.必須對50Hz、60Hz場頻都進行檢查；2.檢查左列4項，必須有足夠調(diào)節(jié)余量，例如+/-5%～+/-10%

十.檢查場輸出動態(tài)范圍調(diào)整步序:
1.接收60Hz場頻信號。2.觀察場輸出IC的輸出電壓波形。3.慢慢增大場幅約+10%時,場輸出波形下尖位置應出現(xiàn)飽和,如右圖A所示。4.當場幅增大到+15%時,場輸出波形上部應出現(xiàn)飽和壓縮,如右圖B所示。

5.如過早出現(xiàn)飽和現(xiàn)象,說明場輸出動態(tài)范圍不夠,應增大場供電電壓。6.如過遲出現(xiàn)飽和,表示輸出動態(tài)范圍過大,應降低場電源電壓,以減少場輸出IC及電源功耗。7.如果上述調(diào)整中圖示A、B點的飽和次序不正確（先出現(xiàn)B點壓縮，后出現(xiàn)A點壓縮）或開始壓縮點偏離上述+10%/+15%較遠，這表示場輸出工作點不正確。

操作說明:1.60Hz場頻需較大的場偏轉功率。2.在檢查及調(diào)整全過程，輸出波形都不應出現(xiàn)自激、鈴振及行脈沖過大的現(xiàn)象。


十一.復查調(diào)整后的電壓調(diào)整步序:
1.檢查下列各電壓值：EHT電壓、行管反峰壓、燈絲電壓、開關電源次級各電壓、高壓包次級各電壓。2.要求：（1）電壓必須在正常工作范圍內(nèi)，并有足夠余量。（2）應在最差工作條件下（如負載最重時）進行檢查。操作說明:因上述各項調(diào)整，會使某些電壓產(chǎn)生變化而超出允許范圍。

十二.檢查微音效應及摩爾效應調(diào)整步序:
按企標進行操作說明:1.微音效應CRT蔭罩有可能隨喇叭震動，使圖像出現(xiàn)隨伴音而變化的閃動干擾。不同的CRT其抗震表現(xiàn)不同，其中純平管最差。2.摩爾效應由CRT蔭罩孔與掃描線之間的差拍引起。不同CRT的表現(xiàn)不同，其中純平管最差。

十三.檢查CRT打火調(diào)整步序:采用激光打火，按企業(yè)標準進行操作說明:1.參考本講座“打火保護”。2.不同CRT的打火表現(xiàn)相差極大。

十四.檢查消亮效果調(diào)整步序:1.屏幕上不能出現(xiàn)消亮線。2.絕對不能出現(xiàn)亮點，否則將燒壞熒光屏。3.殘留高壓≤5KV。操作說明:1.采用屏外消亮，不論是觀看效果還是殘留高壓都比一般消亮好。2不同CRT的消亮效果不同。

十五.檢查機殼與CRT的配合間隙和裝配關系是否正確調(diào)整步序:按企標進行操作說明:1.采用屏面較前殼平的CRT時，顯像管與外殼之間易出現(xiàn)離縫。2.配用曲率半徑較前殼小的顯像管,外殼頂部易出現(xiàn)內(nèi)凹。

十六.整機跌落試驗和震動試驗調(diào)整步序:按企標進行操作說明:顯像管越平，其重量也會越大，跌落試驗難度越大。