富士寶IH-P10型數(shù)顯電磁灶測(cè)繪電原理圖如附圖所示，供參考。

該型電磁灶電路由電源逆變、鋸齒波發(fā)生、負(fù)載檢知、定時(shí)與定溫控制，以及各種檢測(cè)和保護(hù)(如過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱、鍋質(zhì)等)電路組成。與格力GC16型電磁灶電路很相似，都是用徽電腦芯片作主控器，都采用絕緣柵雙極型大功率高速開(kāi)關(guān)管IGBT作為逆變電路的主控管；此外，檢測(cè)和感知電路的探測(cè)方式和控制原理也十分相似。本文主要對(duì)該型電磁灶上采用的與格力GC16型電磁灶不同的(或未予介紹的)若干集成電路器件的性能及兩者相異的電路作概路說(shuō)明。
1．S3P9404DZZ單片微處理器主控電路(U4)
S3P9404單片微處理器是韓國(guó)三星公司采用SAM87Ri芯片技術(shù)生產(chǎn)的8位單片CMOS微處理器，是一種一次性可編程的微處理器。其內(nèi)含CPU之外，還有四個(gè)可配置的I／O口(共22個(gè)引腳)，一個(gè)矢量和一個(gè)電平中斷的共六個(gè)中斷源，具有多種操作模式的兩個(gè)8位定時(shí)／計(jì)數(shù)器、8位8通道A／D轉(zhuǎn)換器和一個(gè)過(guò)零檢測(cè)微型模件。此外，它有4k字節(jié)的內(nèi)存儲(chǔ)器(ROM)和208字節(jié)通用寄存區(qū)(RAM)，其中4k字節(jié)內(nèi)存儲(chǔ)器是可編程的E2PROM，用以取代掩膜ROM。在定時(shí)／計(jì)數(shù)器方面，它有一個(gè)作為“看門(mén)狗”功能的8位定時(shí)／計(jì)數(shù)器。從程序設(shè)置而言，它共有41條程序指令，并為電源跌落監(jiān)測(cè)加有IDLE(空閑)和STOP(關(guān)電)指令，在主振頻率為10MHz時(shí)，指令執(zhí)行時(shí)間為600ns。該集成電路還可產(chǎn)生200Hz-20kHz的音頻信號(hào)供蜂鳴器作提示或報(bào)警信號(hào)。S3P9404電路工作電壓為2．7～5．5V，它有兩種封裝形式，即SDIP30和SOP32，在本電路中采用的是SDIP30封裝。該芯片采用4MHz晶振產(chǎn)生主振頻率，由電腦主控板上的專用電壓檢測(cè)集成電路U3送來(lái)低電平信號(hào)執(zhí)行復(fù)位。22個(gè)可配置I／O口用了21個(gè)，其功能分配列于表1。

2．KIA7033AP電壓檢測(cè)器電路(U3)
EdA7033AP集成電路是韓國(guó)KEC公司生產(chǎn)的KIA7019-7045AP／AF／AT系列電壓檢測(cè)器之一，用于供電電壓監(jiān)測(cè)，一旦瞬間掉電即刻輸出低電平信號(hào)，對(duì)CPU系統(tǒng)或其他邏輯系統(tǒng)實(shí)施精確復(fù)位。該器件采用TO-92封裝，其內(nèi)部簡(jiǎn)圖見(jiàn)圖2所示。KIA7033AP的檢測(cè)起始電壓為3．3V(典型值)。當(dāng)Vcc跌落時(shí)，R3上降低的電壓比R2上降低得更多，于是內(nèi)部比較器輸出高電平而觸發(fā)三極管導(dǎo)通，③腳輸出低電平(復(fù)位信號(hào))。
KIA7033AP器件的特點(diǎn)是：電流消耗低(低電平時(shí)ICCL為300uA，高電平時(shí)ICCH為30uA)；復(fù)位輸出最小保證電壓僅為0．8V。封裝形式多(TO-92、SOT-89、TSM及貼片封裝)。KIA7019-7045AP／AE／AT系列器件的極限值參數(shù)見(jiàn)表2。
KIA7019～7045系列電壓檢測(cè)器常用于蓄電池后備電源自動(dòng)接續(xù)控制電路；探測(cè)和防止電源開(kāi)／關(guān)錯(cuò)誤動(dòng)作的電路；探測(cè)和防止因洪電中斷造成系統(tǒng)失控的保護(hù)電路；帶CPU的諸如個(gè)人電腦、打印機(jī)等設(shè)備的復(fù)位電路。
3.IRG4PH30KD絕緣柵雙極型晶體管(QA2)
IRG4PH30KD絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是由國(guó)際整流器公司生產(chǎn)的一種高反向電壓、大短路電流、快開(kāi)關(guān)速度的功率器件，還有超快速、超軟恢復(fù)二極管與三極管的e—c間反向并聯(lián)，大大提高了該功率器件的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換特性及降噪性能，并具有極低的傳導(dǎo)損耗，最適合驅(qū)動(dòng)大的電感性負(fù)載，如電動(dòng)機(jī)、螺線管加熱器和電流互感器等。其極限參數(shù)值見(jiàn)表3所示。
4．TA8316AS絕緣柵雙極型晶體管門(mén)極驅(qū)動(dòng)器電路(VA1)
上述IGBT功率器件其激勵(lì)電壓約在±15V左右。但若要求較大的驅(qū)動(dòng)電流，并可直接接受微處理器控制，在要求轉(zhuǎn)換速度較快的場(chǎng)合時(shí)，TFA8316AS門(mén)極驅(qū)動(dòng)器是最合適的器件。其特點(diǎn)為：
·可直接接受微處理器的控制。 [Page]
·可直接用大電流去驅(qū)動(dòng)IGBT的門(mén)極。其源電流最大可達(dá)200mA。吸入電流最大為1A。
·內(nèi)含一只鉗位二極管，用來(lái)保護(hù)開(kāi)通電源時(shí)不致?lián)p壞IGBT的絕緣柵。
TA8316AS驅(qū)動(dòng)器采用單列7腳直插式(SIP7-P-2．54)封裝，各引腳功能見(jiàn)表4．極限參數(shù)值見(jiàn)表5。